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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1
| Artikelnummer: | IPD80R2K8CEATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.20 |
| 10+ | $1.076 |
| 100+ | $0.8387 |
| 500+ | $0.6929 |
| 1000+ | $0.547 |
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- Verpackung
-
Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD80R2K8CEATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 120µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 Serie CoolMOS™ CE Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V Verlustleistung (max) 42W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A (Tc) Grundproduktnummer IPD80R2 IPD80R2K8CEATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPD80R2K8CEATMA1 PDF - EN.pdf -
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